NE3514S02-T1D-A参数:HJ-FET NCH 10DB S02
类别:分立半导体产品-RF FET标准包装:10,000系列:-包装:带卷 (TR)晶体管类型:HFET频率:20GHz增益:10dB电压 - 测试:2V额定电流:70mA噪声系数:0.75dB电流 - 测试:10mA功率 - 输出:-电压 - 额定:4V封装:4-SMD,扁平引线供应商器件封装:S02