NE3515S02-A参数:FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
类别:分立半导体产品-RF FET标准包装:1系列:-包装:散装晶体管类型:HFET频率:12GHz增益:12.5dB电压 - 测试:2V额定电流:88mA噪声系数:0.3dB电流 - 测试:10mA功率 - 输出:14dBm电压 - 额定:4V封装:4-SMD,扁平引线供应商器件封装:S02