NE3515S02-T1C-A参数：FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
类别：分立半导体产品-RF FET标准包装：2,000系列：-包装：带卷 (TR)晶体管类型：HFET频率：12GHz增益：12.5dB电压 - 测试：2V额定电流：88mA噪声系数：0.3dB电流 - 测试：10mA功率 - 输出：14dBm电压 - 额定：4V封装：4-SMD，扁平引线供应商器件封装：S02
