NE3516S02-A参数：IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
类别：分立半导体产品-RF FET标准包装：1系列：-包装：散装晶体管类型：N 沟道 GaAs HJ-FET频率：12GHz增益：14dB电压 - 测试：2V额定电流：60mA噪声系数：0.50dB电流 - 测试：10mA功率 - 输出：165mW电压 - 额定：4V封装：4-SMD，扁平引线供应商器件封装：S02
