NE3516S02-T1C-A参数：IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
类别：分立半导体产品-RF FET标准包装：2,000系列：-包装：带卷 (TR)晶体管类型：N 沟道 GaAs HJ-FET频率：12GHz增益：14dB电压 - 测试：2V额定电流：60mA噪声系数：0.35dB电流 - 测试：6mA功率 - 输出：33dBm电压 - 额定：4V封装：4-SMD，扁平引线供应商器件封装：S02
