NE52418-T1-A参数：IC AMP HBT GAAS LN 4-SMINI
类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)晶体管类型：NPN电压 - 集射极击穿（最大值）：5V频率 - 跃迁：-噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1dB ~ 1.5dB @ 2GHz增益：14dB ~ 16dB功率 - 最大值：150mW不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 3mA，2V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40mA安装类型：表面贴装封装：SC-82A，SOT-343供应商器件封装：4 个超微型模具
