NE5511279A-T1-A参数:MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A
类别:分立半导体产品-RF FET标准包装:1,000系列:-包装:带卷 (TR)晶体管类型:LDMOS频率:900MHz增益:15dB电压 - 测试:7.5V额定电流:3A噪声系数:-电流 - 测试:400mA功率 - 输出:40dBm电压 - 额定:20V封装:4-SMD,扁平引线供应商器件封装:79A