NE5517DR2G参数：IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-SOIC
类别：集成电路 (IC)-LINEAR - AMPLIFIERS - INSTRUMENTATION, OP AMPS, BUFFER AMPS标准包装：2,500系列：-包装：带卷 (TR)放大器类型：跨导电路数：2输出类型：推挽式压摆率：50 V/µs增益带宽积：2MHz-3db 带宽：-电流 - 输入偏置：400nA电压 - 输入失调：400µV电流 - 电源：2.6mA电流 - 输出/通道：650µA电压 - 电源，单/双 (±)：4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V工作温度：0°C ~ 70°C安装类型：表面贴装封装：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：16-SOIC
