NE5520279A-T1-A参数：MOSFET LD N-CHAN 3.2V 79A
类别：分立半导体产品-RF FET标准包装：1,000系列：-包装：带卷 (TR)晶体管类型：LDMOS频率：1.8GHz增益：10dB电压 - 测试：3.2V额定电流：600mA噪声系数：-电流 - 测试：700mA功率 - 输出：32dBm电压 - 额定：15V封装：4-SMD，扁平引线供应商器件封装：79A
