NE552R479A-A参数：MOSFET LD N-CHAN 3V 79A
类别：分立半导体产品-RF FET标准包装：1系列：-包装：散装晶体管类型：N 通道频率：2.45GHz增益：11dB电压 - 测试：3V额定电流：300mA噪声系数：-电流 - 测试：200mA功率 - 输出：26dBm电压 - 额定：15V封装：4-SMD，扁平引线供应商器件封装：79A
