NE5550779A-T1-A参数：IC FET LDMOS 30V 2.1A 79A-PKG
类别：分立半导体产品-RF FET标准包装：1,000系列：-包装：带卷 (TR)晶体管类型：LDMOS频率：900MHz增益：22dB电压 - 测试：7.5V额定电流：2.1A噪声系数：-电流 - 测试：140mA功率 - 输出：38.5dBm电压 - 额定：30V封装：4-SMD，扁平引线供应商器件封装：79A
