NE58219-T1-A参数:TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
类别:分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)晶体管类型:NPN电压 - 集射极击穿(最大值):12V频率 - 跃迁:5GHz噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):-增益:-功率 - 最大值:100mW不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60mA安装类型:表面贴装封装:SC-75,SOT-416供应商器件封装:3 针 SuperMiniMold (19)