NE58219-A参数：TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)标准包装：1系列：-包装：散装晶体管类型：NPN电压 - 集射极击穿（最大值）：12V频率 - 跃迁：5GHz噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：-增益：-功率 - 最大值：100mW不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：60 @ 5mA，5V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60mA安装类型：表面贴装封装：SC-75，SOT-416供应商器件封装：3 针 SuperMiniMold (19)
