NE650103M-A参数：MESFET GAAS 2.7GHZ 3M
类别：分立半导体产品-RF FET标准包装：1系列：-包装：托盘晶体管类型：MESFET频率：2.3GHz增益：11dB电压 - 测试：10V额定电流：5A噪声系数：-电流 - 测试：1.5A功率 - 输出：40dBm电压 - 额定：15V封装：SOT-445 变式供应商器件封装：3M
