NE651R479A-T1-A参数：HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A
类别：分立半导体产品-RF FET产品变化通告： UPG,NE651SeriesObsolescence04/Feb/2013标准包装：1,000系列：-包装：带卷(TR)晶体管类型：HFET频率：1.9GHz增益：12dB电压-测试：3.5V额定电流：1A噪声系数：-电流-测试：50mA功率-输出：27dBm电压-额定：8V封装：4-SMD，扁平引线供应商器件封装：79A
