NE652N

NE650103M-A
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NE650103M-A参数：MESFET GAAS 2.7GHZ 3M

类别：分立半导体产品-RF FET
标准包装：1
系列：-
包装：托盘
晶体管类型：MESFET
频率：2.3GHz
增益：11dB
电压 - 测试：10V
额定电流：5A
噪声系数：-
电流 - 测试：1.5A
功率 - 输出：40dBm
电压 - 额定：15V
封装：SOT-445 变式
供应商器件封装：3M