NE662M04-A参数:TRANSISTOR NPN 2GHZ M04
类别:分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)标准包装:1系列:-包装:散装晶体管类型:NPN电压 - 集射极击穿(最大值):3.3V频率 - 跃迁:25GHz噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz增益:20dB功率 - 最大值:115mW不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):50 @ 5mA,2V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35mA安装类型:表面贴装封装:SOT-343F供应商器件封装:M04