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NE662M04

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NE662M04-T2-A
CEL
SOT-343
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射频半导体
相关型号： NE66219-T1-A NE66219-A NE661M04-T2-A NE661M04-A NE651R479A-T1-A NE651R479A-EVPW35

NE662M04-A
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NE662M04-A参数：TRANSISTOR NPN 2GHZ M04

类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)
标准包装：1
系列：-
包装：散装
晶体管类型：NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：3.3V
频率 - 跃迁：25GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz
增益：20dB
功率 - 最大值：115mW
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 5mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35mA
安装类型：表面贴装
封装：SOT-343F
供应商器件封装：M04

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