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NE68119

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NE68119-T1
NEC
SOT-0603
2023+
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NE68119-T1-A
NEC
2023+
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NE68119-T1
NEC
2023+
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NE68119-A
NEC
2023+
6000
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NE68119
NEC
STO523-3
2023+
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NE68119-T1-A
CEL
2023+
26000
射频半导体
NE68119-A
CEL
2023+
26000
射频半导体
相关型号： NE68118-T1-A NE68118-A NE68039-T1-A NE68039R-T1-A NE68039R-T1 NE68039-A

NE68119-A
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NE68119-A参数：TRANSISTOR NPN 1GHZ SMD

类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)
标准包装：1
系列：-
包装：散装
晶体管类型：NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：10V
频率 - 跃迁：7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.4dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益：10dB ~ 14dB
功率 - 最大值：100mW
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 7mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：65mA
安装类型：表面贴装
封装：SOT-523
供应商器件封装：3 针 SuperMiniMold (19)

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