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NE68133

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NE68133-T1B-R35-A
CEL
SOT-23-3
2023+
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NE68133-T1B-R33-A
CEL
SOT-23-3
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NE68133-T1B-A
NEC
SOT-23
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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NE68133-A
NEC
SOT-23
2023+
2283
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NE68133
NEC
STO23-3
2023+
7278
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NE68133-T1B-R35-A
CEL
2023+
26000
射频半导体
NE68133-T1B-R34-A
CEL
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射频半导体
NE68133-T1B-R33-A
CEL
2023+
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射频半导体
NE68133-T1B-A
CEL
SOT-23
2023+
26000
射频半导体
相关型号： NE68130-T1-A NE68130-T1 NE68130-A NE68119-T1-A NE68119-T1 NE68119-A

NE68133-A
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NE68133-A参数：TRANS NPN 1GHZ SOT-23

类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)
标准包装：1
系列：-
包装：散装
晶体管类型：NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：10V
频率 - 跃迁：9GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.2dB @ 1GHz
增益：13dB
功率 - 最大值：200mW
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 7mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：65mA
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23

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