NE851M33-T3-A参数：TRANSISTOR NPN 2GHZ M33
类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)标准包装：10,000系列：-包装：带卷 (TR)晶体管类型：NPN电压 - 集射极击穿（最大值）：5.5V频率 - 跃迁：4.5GHz噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz增益：-功率 - 最大值：130mW不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，1V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA安装类型：表面贴装封装：3-SMD，扁平引线供应商器件封装：3 针 SuperMiniMold (M33)
