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NE85619

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NE85619-T1-A
NEC
3P
2023+
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NE85619-A
NEC
3-XSOF，
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NE85619
NEC
STO523-3
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NE85619-T1-A
CEL
SOT-23
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射频半导体
NE85619-A
CEL
SOT-343
2023+
26000
射频半导体
相关型号： NE85618-T1-A NE85618-A NE851M33-T3-A NE851M33-A NE851M13-T3-A NE851M13-A

NE85619-A
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NE85619-A参数：TRANSISTOR NPN 1GHZ MINIMOLD

类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)
标准包装：1
系列：-
包装：散装
晶体管类型：NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：12V
频率 - 跃迁：4.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益：6.5dB ~ 12.5dB
功率 - 最大值：100mW
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 20mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
安装类型：表面贴装
封装：SOT-523
供应商器件封装：3 针 SuperMiniMold (19)

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