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NE85630-T1

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NE85630-T1-A
NEC
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NEC
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NE85630-T1-R25-A
CEL
SOT-323
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射频半导体
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相关型号： NE85630-R25-A NE85630-R24-A NE85630-A NE85619-T1-A NE85619-T1 NE85619-A

NE85630-T1
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NE85630-T1参数：TRANS NPN 1GHZ SOT-323

类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
晶体管类型：NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：12V
频率 - 跃迁：4.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益：6dB ~ 12dB
功率 - 最大值：150mW
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 7mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
安装类型：表面贴装
封装：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：SOT-323

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