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NE85633-T1B

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NE85633-T1B-A
NEC
SOT-23
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NEC
SOT-23
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NE85633-T1B-R23-A
CEL
SOT-23-3
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NE85633-T1B-R25-A
NEC
SOT-23
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NE85633-T1B-R25-A
CEL
SOT-23
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射频半导体
相关型号： NE85633-R25-A NE85633-R24-A NE85633-R23-A NE85633L-A NE85630-T1-R25-A NE85630-T1-R24-A

NE85633-T1B
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NE85633-T1B参数：TRANS NPN 1GHZ SOT-23

类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
晶体管类型：NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：12V
频率 - 跃迁：7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
增益：9dB
功率 - 最大值：200mW
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 20mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23

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