NE85630-A参数：TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323
类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)标准包装：1系列：-包装：散装晶体管类型：NPN电压 - 集射极击穿（最大值）：12V频率 - 跃迁：4.5GHz噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz增益：6dB ~ 12dB功率 - 最大值：150mW不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 7mA，3V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA安装类型：表面贴装封装：SC-70，SOT-323供应商器件封装：SOT-323
