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NESG2021M05

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NESG2021M05-T1 优势库存
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NESG2021M05-T1/T1G
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NESG2021M05-T1-A
NEC
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NESG2021M05-EVNF58
CEL
SOT-343
2023+
26000
射频半导体
相关型号： NEO1200 NEB-300NWA-ANH NEB-300NWA-AN NEB-300DWA-ANH NEB-300DWA-AN NEB-264NWA-ANH

NESG2021M05-A
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NESG2021M05-A参数：TRANS NPN 2GHZ M05

类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)
标准包装：1
系列：-
包装：散装
晶体管类型：NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：5V
频率 - 跃迁：25GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.9dB ~ 1.3dB @ 2GHz ~ 5.2GHz
增益：10dB ~ 18dB
功率 - 最大值：175mW
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：130 @ 5mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35mA
安装类型：表面贴装
封装：SOT-343F
供应商器件封装：M05

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