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NESG3031M05

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NESG3031M05-T1-A 优势库存
NEC
SOT-343
2023+
54352
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NESG3031M05-T1
SOT-343
2023+
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NESG3031M05-T1-A
NEC
SOT-343
2023+
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NESG3031M05-T1-A
NEC
M05
2023+
6000
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NESG3031M05-T1
NEC
SOT143
2023+
3000
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NESG3031M05-A
NEC
M05
2023+
1965
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NESG3031M05
NEC
SOT343
2023+
10278
全新进口原装现货,保证质量
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NESG3031M05-T1
RENESAS
SOT343
2023+
33600
一级代理/全新现货/长期供..
NESG3031M05-EVNF58-A
CEL
2023+
26000
射频半导体
NESG3031M05-EVNF24
CEL
M05
2023+
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射频半导体
NESG3031M05-EVNF16
CEL
M05
2023+
26000
射频半导体
相关型号： NESG270034-T1-AZ NESG270034-EV09-AZ NESG270034-AZ NESG260234-T1-AZ NESG260234-AZ NESG250134-T1-AZ

NESG3031M05-A
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NESG3031M05-A参数：TRANS NPN 5.8GHZ M05

类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)
标准包装：1
系列：-
包装：散装
晶体管类型：NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：4.3V
频率 - 跃迁：-
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.6dB ~ 1.5dB @ 2.4GHz ~ 5.8GHz
增益：7.5dB ~ 16dB
功率 - 最大值：150mW
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：220 @ 6mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35mA
安装类型：表面贴装
封装：SOT-343F
供应商器件封装：M05

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