NESG3032M14-A参数：TRANS NPN 2GHZ M14
类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)标准包装：1系列：-包装：散装晶体管类型：NPN电压 - 集射极击穿（最大值）：4.3V频率 - 跃迁：-噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.6dB @ 2GHz增益：17.5dB功率 - 最大值：150mW不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：220 @ 6mA，2V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35mA安装类型：表面贴装封装：4-SMD，扁平引线供应商器件封装：4L2MM，M14
