NESG7030M04-A参数：DISCRETE RF DIODE
类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)特色产品： NESG7030M04Transistor标准包装：1系列：-包装：散装晶体管类型：NPN电压-集射极击穿（最大值）：4.3V频率-跃迁：5.8GHz噪声系数（dB，不同f时的典型值）：0.5dB~0.75dB@2GHz~5.8GHz增益：14dB~21dB功率-最大值：125mW不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：200@5mA，2V电流-集电极(Ic)（最大值）：30mA安装类型：表面贴装封装：SOT-343F供应商器件封装：M04
