NGB8202NT4G参数:IGBT IGNIT N-CHAN 20A 400V D2PAK
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:800系列:-包装:带卷 (TR)IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):440V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 4.5V,20A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20ACurrent - Collector Pulsed (Icm):50A功率 - 最大值:150WSwitching Energy:-输入类型:逻辑Gate Charge:-Td (on/off) A 25°C:-/5µsTest Condition:300V,9A,1 千欧,5V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK