NGB8206ANTF4G参数：IGBT N-CH 20A 350V D2PAK-3
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装：700系列：-包装：带卷 (TR)IGBT 类型：-电压 - 集射极击穿（最大值）：390V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：1.9V @ 4.5V，20A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：50A功率 - 最大值：150WSwitching Energy：-输入类型：逻辑Gate Charge：-Td (on/off) A 25°C：-/5µsTest Condition：300V，9A，1 千欧，5V反向恢复时间 (trr)：-封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB安装类型：表面贴装供应商器件封装：D2PAK
