NGB8206N

NGB8206N
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NGB8206N参数：IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V D2PAK

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
产品变化通告： LTBNotification03/Jan/2008
标准包装：50
系列：-
包装：管件
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：390V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：1.9V@4.5V，20A
电流-集电极(Ic)（最大值）：20A
Current-CollectorPulsed(Icm)：50A
功率-最大值：150W
SwitchingEnergy：-
输入类型：逻辑
GateCharge：-
Td(on/off)A25°C：-/5µs
TestCondition：300V，9A，1千欧，5V
反向恢复时间(trr)：-
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：D2PAK