NGB8206NG参数:IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V D2PAK
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路产品变化通告: ProductObsolescence13/Apr/2009标准包装:50系列:-包装:管件IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):390V不同?Vge、Ic时的?Vce(on):1.9V@4.5V,20A电流-集电极(Ic)(最大值):20ACurrent-CollectorPulsed(Icm):50A功率-最大值:150WSwitchingEnergy:-输入类型:逻辑GateCharge:-Td(on/off)A25°C:-/5µsTestCondition:300V,9A,1千欧,5V反向恢复时间(trr):-封装:TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK