NGB8206N参数：IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V D2PAK
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路产品变化通告： LTBNotification03/Jan/2008标准包装：50系列：-包装：管件IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：390V不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：1.9V@4.5V，20A电流-集电极(Ic)（最大值）：20ACurrent-CollectorPulsed(Icm)：50A功率-最大值：150WSwitchingEnergy：-输入类型：逻辑GateCharge：-Td(on/off)A25°C：-/5µsTestCondition：300V，9A，1千欧，5V反向恢复时间(trr)：-封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB安装类型：表面贴装供应商器件封装：D2PAK