NGB8207ABNT4G

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NGB8207ABNT4G参数：IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：800
系列：-
包装：带卷 (TR)
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：365V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.05V @ 4.5V，10A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20A
Current - Collector Pulsed (Icm)：50A
功率 - 最大值：165W
Switching Energy：-
输入类型：逻辑
Gate Charge：-
Td (on/off) A 25°C：-
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：D2PAK