NIC9N05ATS1参数：IGBT N-CH 52V 9A BARE DIE
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,500系列：-包装：*FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：52V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：95 毫欧 @ 12A，12V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：250pF @ 40V功率 - 最大值：1.74W安装类型：*封装：*供应商器件封装：*