NIF9N05CLT3参数:MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: LTBNotification03/Jan/2008 SpecificationChangeMSLUpdated2/April/2007标准包装:4,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):52V电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):125毫欧@2.6A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):7nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):250pF@35V功率-最大值:1.69W安装类型:表面贴装封装:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:SOT-223