NMSD200B01-7参数：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363
类别：分立半导体产品-FET - 单其它图纸： SOT-363PackageTop SOT-363PackageSide1 SOT-363PackageSide2标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：二极管（隔离式）漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3欧姆@50mA，5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：50pF@25V功率-最大值：200mW安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：SOT-363
