NP110N055PUG-E1-AY参数:MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:800系列:-包装:*FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):55V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):110A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 毫欧 @ 55A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):380nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):25700pF @ 25V功率 - 最大值:1.8W安装类型:*封装:*供应商器件封装:*