NP36P06SLG-E1-AY参数:MOSFET P-CH -60V -36A TO-252
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:2,500系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):36A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 18A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):52nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3200pF @ 10V功率 - 最大值:1.2W安装类型:表面贴装封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商器件封装:TO-252(MP-3ZK)