NP80N04KHE-E1-AY参数:MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:800系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):40V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 40A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):60nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3300pF @ 25V功率 - 最大值:1.8W安装类型:表面贴装封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:TO-263