NSBA114EDP6T5G参数：TRANS BRT PNP DUAL DGTL SOT-963
类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式产品变化通告： WireBondChange01/Dec/2010标准包装：8,000系列：-包装：带卷(TR)晶体管类型：2个PNP预偏压式（双）电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA电压-集射极击穿（最大值）：50V电阻器-基底(R1)(Ω)：10k电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：10k不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：35@5mA，10V不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：250mV@300µA，10mA电流-集电极截止（最大值）：500nA频率-跃迁：-功率-最大值：338mW安装类型：表面贴装封装：SOT-963供应商器件封装：SOT-963
