NSBA124EDXV6T1G参数:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
类别:分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式标准包装:4,000系列:-包装:带卷 (TR)晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA电压 - 集射极击穿(最大值):50V电阻器 - 基底 (R1) (Ω):22k电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):22k不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):60 @ 5mA,10V不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA电流 - 集电极截止(最大值):500nA频率 - 跃迁:-功率 - 最大值:500mW安装类型:表面贴装封装:SOT-563,SOT-666供应商器件封装:SOT-563