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NSS35200CF8T1G

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NSS35200CF8T1G 优势库存
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相关型号： NSS30201MR6T1G NSS30101LT1G NSS30100LT1G NSS30071MR6T1G NSS30070MR6T1G NSS20601CF8T1G

NSS35200CF8T1G
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NSS35200CF8T1G参数：TRANSISTOR PNP 2A 35V 8CHIPFET

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路
产品培训模块： LowVce(sat)BJTPowerSavings
产品变化通告： WireChangeforChipFetPkg20/Jul/2010
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：PNP
电流-集电极(Ic)（最大值）：2A
电压-集射极击穿（最大值）：35V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：300mV@20mA，2A
电流-集电极截止（最大值）：100nA
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：100@1.5A，2V
功率-最大值：635mW
频率-跃迁：100MHz
安装类型：表面贴装
封装：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：ChipFET?

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