NSS40200UW6T1G参数：TRANSISTOR PNP 4A 40V 6-WDFN
类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路产品培训模块： LowVce(sat)BJTPowerSavings产品变化通告： WireBondChange07/Sept/2011标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)晶体管类型：PNP电流-集电极(Ic)（最大值）：2A电压-集射极击穿（最大值）：40V不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：300mV@20mA，2A电流-集电极截止（最大值）：-不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：150@1A，2V功率-最大值：875mW频率-跃迁：140MHz安装类型：表面贴装封装：6-WDFN裸露焊盘供应商器件封装：6-WDFN（2x2）
