NSTR4501NT1G参数：MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation04/Jan/2013标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：80毫欧@3.6A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：200pF@10V功率-最大值：1.25W安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23-3
