NTB125N02R参数:MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: Discontinuation30/Jun/2006标准包装:50系列:-包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):24V电流-连续漏极(Id)(25°C时):15.9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):4.6毫欧@20A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):28nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):3440pF@20V功率-最大值:1.98W安装类型:表面贴装封装:TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:D2PAK