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NTB23N03R

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NTB23N03RT4G 优势库存
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TO-263(D2PAK)
2023+
5406
全新原厂原装现货
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NTB23N03RG 优势库存
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TO-263(D2PAK)
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NTB23N03R 优势库存
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TO-263(D2PAK)
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NTB23N03RT4 优势库存
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TO-263(D2PAK)
2023+
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原装现货，价格优势
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NTB23N03RT4G
onsemi
D2PAK
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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NTB23N03RG
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D2PAK
2023+
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全新原装进口现货品质保证
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NTB23N03R
onsemi
D2PAK
2023+
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NTB23N03R
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SOP
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NTB23N03RG
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D2PAK
2023+
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TO-263
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NTB23N03RT4G
ONSemiconductor
Dsup2Pak，TO-..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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NTB23N03RT4
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D2PAK3LEAD
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相关型号： NTB22N06T4 NTB22N06LT4 NTB18N06T4G NTB18N06T4 NTB18N06LT4G NTB18N06LT4

NTB23N03R
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NTB23N03R参数：MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence06/Oct/2006
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：45毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3.76nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：225pF@20V
功率-最大值：37.5W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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