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NTB30N20

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NTB30N20T4G 优势库存
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TO-263(D2PAK)
2023+
5406
全新原厂原装现货
深圳市科锦电子有限公司 VIP会员
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NTB30N20G 优势库存
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TO-263(D2PAK)
2023+
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全新原厂原装现货
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NTB30N20 优势库存
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TO-263(D2PAK)
2023+
5408
全新进口原装现货，即时发货
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NTB30N20T4 优势库存
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TO-263(D2PAK)
2023+
5412
原装现货，价格优势
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NTB30N20G
onsemi
D2PAK
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
深圳市同亨电子有限公司 VIP会员
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QQ询价
NTB30N20
onsemi
D2PAK
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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NTB30N20T4G
onsemi
D2PAK
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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NTB30N20T4
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SOT-263
2023+
2396
质量保证即时发货
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NTB30N20T4G
ONS
D2PAK
2023+
11278
全新进口原装现货,保证质量
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联系人：肖小姐
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NTB30N20
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TO-263
2023+
15278
全新进口原装现货,保证质量
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NTB30N20G
ONS
D2PAK
2023+
11278
全新进口原装现货,保证质量
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NTB30N20G
ONSemiconductor
Dsup2Pak，TO-..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
深圳市同亨电子有限公司.. VIP会员
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NTB30N20
ONSemiconductor
Dsup2Pak，TO-..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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NTB30N20T4
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D2PAK3LEAD
2023+
39000
品质保证,价格优惠
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NTB30N20T4G
ONSemiconductor
Dsup2Pak，TO-..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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NTB30N20T4G
ON
2023+
9000
全新原装现货
相关型号： NTB30N06T4G NTB30N06T4 NTB30N06LT4G NTB30N06LT4 NTB30N06LG NTB30N06L

NTB30N20
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NTB30N20参数：MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： Discontinuation30/Jun/2006
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：30A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：81毫欧@15A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：100nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2335pF@25V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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