NTB52N10G参数：MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010标准包装：50系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：52A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：30毫欧@26A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：135nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3150pF@25V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAK
